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> PEMD9,115 TRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT666
型号:
PEMD9,115
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
TRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT666
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
PEMD9,115 PDF
标准包装
4,000
系列
-
晶体管类型
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧)
10k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧)
47k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
100 @ 5mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
100mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大)
1µA
频率 - 转换
-
功率 - 最大
300mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商设备封装
SOT-666
包装
带卷 (TR)
其它名称
934056706115
PEMD9 T/R
PEMD9 T/R-ND
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